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该异质结构由二硫化钼(MoS2)嵌入通道、全部期hBN隧道阻挡层和二硒化钨层组成。图2a显示了具有多端石墨烯接触的代表性WSe2/hBN/MoS2异质结的示意图和光学显微镜图像，玩意在WSe2/hBN/MoS2异质结区，玩意由于光生激子的层间电荷转移过程，所有峰的强度都降低。

背景介绍在基于常规半导体制备高性能电子器件时，百货抑制库仑散射的同时掺杂是必不可少的。首先通过光致发光(PL)和拉曼光谱等光学表征，全部期揭示了上述异质结构中的电荷转移相互作用。用于低温输运研究的石墨烯接触器件表现出良好的欧姆接触行为，玩意其接触电阻小于金接触器件，但低温下表现出轻微的非线性ID-VD特性。

断面透射电镜图证实了由四层WSe2、百货三层hBN和三层MoS2组成的WSe2/hBN/MoS2异质结的结构和界面。全部期这就导致了与传统体MODFET或HEMT中二维电子气(2DEG)类似的受限MoS2沟道的掺杂。

在分子掺杂前，玩意两种器件在VBG=70V处表现出类似的温度依赖性迁移率行为，玩意迁移率随着温度降低而增大，在100K达到最高，这表明电荷传输受到声子散射的限制。

 成果简介进日，百货韩国高丽大学DonghunLee团队报道了利用vdW波段工程和远程电荷转移掺杂在二维半导体中的调制掺杂。范智勇Sci.Adv.基于三维钙钛矿纳米线阵列超快电阻存储器【引言】神经形态计算、全部期复杂的生物电子模块和大数据分析的发展给高性能的非易失性存储器带来了重大机遇。

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